技術文章/ article
碳化硅半導體材料屬Ⅳ族化合物半導體。為共價鍵晶體，有閃鋅礦型和鉛鋅礦型兩種結晶形式。?碳化硅的電阻率范圍?通常在0.005Ω·cm到200Ω·cm之間。?測量方法?非接觸渦流法?是一種常用的測量導電碳化硅單晶片電阻率的方法。這種方法適用于200μm到1000μm厚的碳化硅單晶片，能夠測量電阻率在0.005Ω·cm到200Ω·cm和表面電阻在0.032Ω/□到3000Ω/□的范圍內的樣品。影響因素碳化硅的電阻率受其純度和雜質含量的影響。純度越高，雜質含量越少，電阻率越高。此外，...
氧化鎵，化學式為Ga?O?，是一種寬禁帶半導體材料。它具有多種晶體結構，其中最常見的是β-Ga?O?，具有單斜晶系結構。氧化鎵具有高硬度、高熔點、良好的化學穩定性和熱穩定性等特點。在電學性質方面，氧化鎵的禁帶寬度較大，約為4.8eV，這使得它在高溫、高功率和高頻電子器件中有很大的應用潛力。此外，氧化鎵的電子遷移率較高，有利于提高電子器件的性能。電阻率是用來表示材料導電性能的物理量，它是材料單位長度、單位截面積的電阻值，通常用符號ρ表示，單位為歐姆·米（Ω·m）。電阻率越小，材...
在現代材料科學和半導體技術領域，對材料的電學性能進行精確測量至關重要。霍爾遷移率測試儀作為一種重要的測試設備，能夠準確地測量材料的霍爾遷移率、載流子濃度等關鍵參數。這些參數對于研究和開發新型半導體材料、電子器件以及理解材料的導電機制具有重要意義。通常由磁場源、樣品臺、電流源、電壓表等組成。測試時，將待測樣品放置在樣品臺上，通過電流源向樣品施加一定的電流。同時，磁場源產生一個垂直于樣品平面的磁場。在電流和磁場的共同作用下，樣品中會產生霍爾電壓。通過電壓表測量霍爾電壓，并根據已知...
少子壽命的定義和重要性?12?少子壽命?是指?光生電子和空穴從一開始在?半導體中產生直到消失的時間。它是半導體材料和器件的一個重要參數，直接影響器件的性能。少子壽命越長，器件的性能越好。影響少子壽命的因素影響少子壽命的因素主要包括有害的雜質和缺陷。去除這些雜質和缺陷可以延長少子壽命，而加入能夠產生復合中心的雜質或缺陷則會縮短少子壽命。例如，摻入?Au、?Pt或采用高能粒子束轟擊等都會減少少子壽命。少子壽命的測試方法和應用少子壽命的測試采用了?準穩態光電導（?QSSPC）等方法...
??霍爾遷移率（Hallmobility）是指?Hall系數RH與電導率?σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱，故特別稱為霍爾遷移率。?表示為μH=│RH│σ。?12霍爾遷移率μH實際上不一定等于載流子的電導遷移率μ，因為載流子的速度分布會影響到電導遷移率，所以只有在簡單情況（不考慮速度分布）下才有μH=μ。霍爾遷移率是測試射頻氮化鎵芯片使用。“碳化硅的電子遷移率是900，碳化硅MOSFET的溝道遷移率是50，體遷移率是1000”看到這樣的介紹，或許你非常疑惑，為什么同一...
方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關，其單位為Siements/sq，后增加歐姆/sq表征方式，該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻，用于膜層測量又稱為膜層電阻。方塊電阻有一個特性，即任意大小的正方形測量值都是一樣的，不管邊長是1米還是0.1米，它們的方阻都是一樣，這樣方阻僅與導電膜的厚度等因素有關，表征膜層致密性，同時表征對熱紅外光譜的透過能力，方塊電阻...
渦流法電阻率是一種非接觸式的測量方法，主要用于測量材料的電阻率而不會損傷被測物體的表面。?這種方法基于電磁感應原理，通過檢測材料中的渦流來評估其電阻率。渦流法電阻率測量技術的原理是：當交變電流通過導體時，會在其周圍產生一個交變磁場，這個磁場會在導體表面產生渦流。這些渦流會產生一個反作用磁場，通過探測這個反作用磁場，可以計算出材料的電阻率。這種方法具有無接觸、精度高、成本低、檢測速度快等優點，特別適用于惡劣環境下的測量?。渦流法電阻率測量技術的應用非常廣泛，包括半導體、化合物半...
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