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2025-06-26
2025-06-26
2025-05-28
2025-04-30
2025-04-12
產品中心/ products
隨著光伏產業的迅猛發展，生產效率和產品質量的提升已成為行業關注的焦點。在光伏電池片的生產中，方阻檢測是確保電池片質量和性能的關鍵環節之一。傳統的方阻檢測方法大多依賴接觸式測試，這不僅容易損傷材料，還難...
主要利用結光電壓技術非接觸測試具有P/N或N/P結構的樣品的方阻(發射極薄層方阻），本儀器為非接觸，非損傷測試，具有測試速度快，重復性佳，測試敏感性高，可以直接測試產品片等優點。
在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間詳情介紹?我公司特點非接觸霍爾遷移率（Hall mob...
在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間
即少數載流子壽命。光生電子和空穴從一開始在半導體中產生直到消失的時間稱為壽命。載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數載流子（因為只有少數載流子才能注入到半導體內部、并積...
外延電阻率方阻測試儀：外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中，硅片最底層是P型襯底硅（有的加點埋層）；然后在襯底上生長一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延層；再后來在外延層上注入基區、發射區等等...
襯底電阻率方阻測試儀：襯底，或稱基片（substrate），是指在半導體器件制造過程中用來支持其他材料或結構的底層材料。襯底的物理性質包括其晶體結構、機械強度、熱導率、膨脹系數等，而化學性質則涵蓋其純...
玻璃方阻測試儀應用ITO導電玻璃的時候，往往會提到一個重要的參數，這個參數就是：方阻，也稱方塊電阻。同時，我們也可以將其理解為ITO的表面電阻率。
金屬薄膜方阻測試儀：金屬薄膜方阻，方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關，其單...
氧化鎵電阻率方阻測試儀：Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器
氮化鎵電阻率方阻測試儀：氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。
碳化硅電阻率方阻測試儀：1、電阻率ρ不僅和導體的材料有關，還和導體的溫度有關。在溫度變化不大的范圍內：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化，即ρ=ρ0（1+at）。式中t是攝氏溫度，ρ0是O℃時的電阻...
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